時間：2023年5月15日（星期一）10:00-11:30

地點：逸夫樓A棟212

主講人：王中強

講座摘要：憶阻器因其功耗低、密度高等優勢，被認為是新一代人工智能重要的硬件基礎，在信息存儲、類腦模拟、存算一體等領域有着廣泛應用。離子型憶阻材料是一類基礎性憶阻材料，其中離子動力學過程（遷移、擴散）的随機性是限制器件可靠性和功能化的主要問題。圍繞上述問題，報告将介紹研究組在高性能憶阻器研制方面的研究思路與方案：引入界面電場促進導電通道局域化、構築人工/天然微納孔道促進導電通道有序化、研制光/電、光/光調制的憶阻突觸器件等。憶阻器在材料、信息、人工智能等多學科的交叉合作将能有效推進憶阻器智能器件的發展。

主講人簡介：王中強，東北師範大學物理學院教授，博士生導師；國家高層次青年拔尖人才，吉林省長白山青年拔尖人才，吉林省中青年科技創新團隊帶頭人。2013年博士畢業于東北師範大學，2014—2016年在意大利米蘭理工大學進行博士後研究。長期從事憶阻材料與類腦器件研究，在憶阻器信息存儲、類腦器件和神經網絡等領域取得了一系列研究成果。近年來，作為第一/通訊作者在Nat. Commun.、Adv. Funct. Mater.等國際期刊發表論文60餘篇，并擔任國際期刊《Frontiers in Neuroscience》的主題編輯。主持國家自然科學基金面上項目及青年項目、吉林省科技廳項目等多項課題，參與多項國家重點研發計劃。獲得十七屆吉林省青年科技獎，作為主要完成人獲得2019年國家自然科學獎二等獎(5/5)。

歡迎廣大師生參加！

bv伟德官方网站