我院方宇副教授團隊在物理類top及Nature index期刊Applied Physics Letters上發表最新研究工作，相關成果題為“Carrier trapping and recombination at carbon defects in bulk GaN crystals grown by HVPE”，DOI: 10.1063/5.0040641。

該工作重點解決了GaN中普遍存在的碳雜質對光生載流子的俘獲及複合作用，證明了碳替位氮（C_N）的兩種電荷态（−1和0）可以先後對光生載流子進行俘獲，由此構建了GaN中的C_N缺陷的雙俘獲模型。确定了C_N‑缺陷對載流子的俘獲機理和俘獲系數，這幫助我們更好的從材料結構優化、摻雜濃度和載流子注入濃度調控等方面共同考慮來進一步提升基于GaN的發光二極管等光電子器件的效率及性能。

圖1.（a）GaN: Ge樣品在雙光子激發下的瞬态吸收光譜，虛線為利用λ^b關系拟合曲線；（b）在850 nm和1050 nm探測波長下的歸一化的吸收衰減動力學。