我院方宇副教授團隊在物理學top和Nature index期刊Applied Physics Letters上發表最新研究工作，相關成果題為“Ultrafast broadband carrier and exciton dynamics of Fe centers in GaN”，DOI: 10.1063/5.0156570，并被選為Editor's Pick（編輯精選）文章。

該工作利用飛秒瞬态吸收光譜研究了Fe缺陷對GaN晶體光生載流子和雙光子誘導的超快激子動力學的影響。通過Fe缺陷态能級模型來分析和解釋不同激發方式下瞬态吸收機制的差異。特别是在雙光子激發下，适中的載流子濃度有利于Fe²⁺與價帶空穴快速形成束縛激子态（<20 ps）。本文的研究為GaN: Fe中缺陷态和載流子吸收光譜動力學之間的關系提供了更清晰的認知，為GaN在寬帶非線性光子學和超快光電子器件領域的應用具有重要參考價值。

圖1 GaN:Fe在單光子和雙光子激發下的瞬态吸收光譜

圖2 基于Fe缺陷态的載流子俘獲模型圖